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SCD0060C120s24

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SCD0060C120s24

SiC Schottky Barrier Diode 1200 V

  • s24高浪涌二极管设计 
TO220 N 2 L picture

SiC Schottky-Barrier-Diode 1.2 kV

参数 价值
漏极 - 源极电压 1200 V
参数 价值
正向直流电流 (IF = 60 A, Tvj = 175°C) 12 mOhm
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  • SEM DS 0226 SCD006 TM065 S23 F v1 0
    2026-08-24 | 0.34MB | EN/CN
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