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SIS0100C175i20-赛晶半导体-用于功率模块组装的IGBT 芯片

额定电压为 1700V、电流为 100A 的 IGBT 芯片，采用 i20 技术，具有精细沟槽单元

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SIS0100C175i20

Silicon IGBT 1700 V and 100 A rated current

I20 21

IGBT 1.7kV

参数 价值
集电极-发射极电压 1700 V
集电极直流电流 100 A
参数 价值
长度 10.1 mm
宽度 10.1 mm
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  • SEM DS 0041 SIS0100 C175i20 v3 0 EN
    2026-06-07 | 0.23MB | EN
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  • AN 000011 L Product Naming Rule Public Article Number directive
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  • SEM DS 0041 SIS0100 C175i20 v3 0
    2026-06-05 | 0.3MB | EN/CN
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