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SIS0300C175i23-赛晶半导体-用于功率模块组装的IGBT 芯片

额定电压为 1700V、电流为 300A 的 IGBT 芯片，采用 i23 技术，具有精细沟槽单元

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SIS0300C175i23

Silicon IGBT 1700 V and 300 A rated current

I20 21

IGBT 1.7kV i23

参数 价值
集电极-发射极电压 1700 V
集电极直流电流 300 A
参数 价值
长度 12.4 mm
宽度 16.4 mm
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  • SEM DS 0067 SIS0300 C170i23 v2 0 EN
    2026-06-04 | 0.41MB | EN
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  • AN 000011 L Product Naming Rule Public Article Number directive
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  • SEM DS 0067 SIS0300 C170i23v2
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