工业 ED 型标准封装，采用 i23 超低损耗精细图案沟槽 IGBT 芯片组，电压为 1200V，电流为 1100A
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| 集电极-发射极电压 | 1200 V |
| 集电极直流电流 | 900 A |
| 最高运行结温 | 175 °C |
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| 集电极-发射极饱和电压 (Tvj = 125°C) | 1.75 V |
| 关断损耗 (VCC = 600 V, IC = 900 A, RG = 0.5 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C) | 122 mJ |
| 开通损耗 (VCC = 600 V, IC = 900 A, RG = 0.5 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C) | 127.5 mJ |
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| 正向压降 (Tvj = 125°C) | 1.7 V |
| 反向恢复 (VR = 600 V, IF = 900 A, dI/dt = 8220 A/µs, RG = 0.5 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C) | 70 mJ |
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| 长 x 宽 x 高 | 152 x 62 x 28 mm³ |
| 电气间隙-端子到基板 | 12.5 mm |
| 电气间隙-端子到端子 | 10 mm |
| 爬电距离-端子到基板 | 15 mm |
| 爬电距离-端子到端子 | 13 mm |
| 重量 | 450 g |
Outline
Schematics
