SISD0450ED120i23 - 赛晶半导体功率模块 - 双桥臂

技术规格

ED-type phase leg IGBT module

• i23超低损耗微沟槽栅IGBT芯片组
• 加强Al₂O₃ 绝缘陶瓷基板
• 低热阻铜底板
• 采用改进封装技术，显著降低内部阻抗与接线端温升
• 增强二极管性能以更好适配能量再生应用

ED-Type 1.2kV i23

• SISD1100ED120i23P
• SISD0900ED120i23
• SISD0600ED120i23_D01
• SISD0450ED120i23_D01

Maximum ratings

参数	价值
集电极-发射极电压	1200 V
集电极直流电流	900 A
最高运行结温	175 °C​

IGBT

参数	价值
集电极-发射极饱和电压 (Tvj = 125°C)	1.75 V
关断损耗 (VCC = 600 V, IC = 450 A, RG = 1 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	60 mJ​
开通损耗​ (VCC = 600 V, IC = 450 A, RG = 1 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	70 mJ​

Diode

参数	价值
正向压降 (Tvj = 125°C)	1.5 V​
反向恢复 ​(VR = 600 V, IF = 450 A, dI/dt = 6000 A/µs, RG = 1 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	39 mJ

Package

参数	价值
IGBT结-壳热阻 Rth(j-c)_IGBT	0.064 K/W
二极管结-壳热阻 Rth(j-c)_Diode	0.084 K/W
IGBT壳到散热器热阻 Rth(c-s)_IGBT per switch	0.035 K/W
二极管壳到散热器热阻 Rth(c-s)_Diode per switch	0.038 K/W

Dimension

参数	价值
长 x 宽 x 高	152 x 62 x 17 mm³
电气间隙-端子到基板	12.5 mm​
电气间隙-端子到端子	10 mm​
爬电距离-端子到基板	15 mm​
爬电距离-端子到端子	13 mm​
重量	350 g

Outline drawing

Outline

Schematics