SISD0600ED120i20 - 赛晶半导体功率半导体 - 双桥臂

技术规格

ED-type phase leg IGBT module

ED-Type 1.2kV

• SISD0750ED120i20
• SISD0600ED120i20
• SISD0600ED120i21
• SISD0450ED120i20

Maximum ratings

参数	价值
集电极-发射极电压	1200 V
集电极直流电流	600 A
最高运行结温​	175 °C

IGBT

参数	价值
集电极-发射极饱和电压 (Tvj = 125°C)	1.7 V
关断损耗​ (VCC = 600 V, IC = 600 A, RG = 1.5 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 30 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	88 mJ
开通损耗 (VCC = 600 V, IC = 600 A, RG = 0.47 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 30 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	50 mJ

Diode

参数	价值
正向压降 (Tvj = 125°C)	1.95 V
反向恢复 ​(VR = 600 V, IF = 600 A, dI/dt = 9000 A/µs (175°C), RG = 0.47 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 30 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	43 mJ

Package

参数	价值
IGBT结-壳热阻 Rth(j-c)_IGBT	0.046 K/W
二极管结-壳热阻 Rth(j-c)_Diode	0.077 K/W
IGBT壳到散热器热阻 Rth(c-s)_IGBT per switch	0.03 K/W
二极管壳到散热器热阻 Rth(c-s)_Diode per switch	0.036 K/W

Dimension

参数	价值
长 x 宽 x 高	152 x 62 x 17 mm³
电气间隙-端子到基板	12.5 mm​
端子到基板-端子到端子	10 mm​
爬电距离-端子到基板	14.5 mm​
爬电距离-端子到基板	13 mm​
重量	350 g

Mechanical Properties

外形图

Outline drawing

电气图