SISD0600ED170i20 - 赛晶半导体功率模块 - 双桥臂

技术规格

ED-type phase leg IGBT module

• i20超低损耗精细沟槽栅型IGBT芯片组 
• 加强 Al2O3 绝缘陶瓷基板
• 低热阻铜底板
• 采用改进封装技术，显著降低内部阻抗与接线端温升

ED-Type 1.7kV i20

• SISD0600ED170i20
• SISD0600ED170i20_A01
• SISD0450ED170i20
• SISD0450ED170i20_A01

Maximum ratings

参数	价值
集电极-发射极电压	1700 V
集电极直流电流	600 A
最高运行结温	175 °C

IGBT

参数	价值
集电极-发射极饱和电压 (Tvj = 125°C)	1.85 V
关断损耗​ (VCC = 900 V, IC = 600 A, RG = 1.5 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	192 mJ
开通损耗​ (VCC = 900 V, IC = 600 A, RG = 1.5 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	223 mJ

Diode

参数	价值
正向压降 (Tvj = 125°C)	1.85 V
反向恢复 ​(VR = 900 V, IF = 600 A, dI/dt = 10200 A/µs (175°C), RG = 1.5 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	124 mJ

Package

参数	价值
IGBT结-壳热阻 Rth(j-c)_IGBT	0.042 K/W
二极管结-壳热阻 Rth(j-c)_Diode	0.073 K/W
IGBT壳到散热器热阻 Rth(c-s)_IGBT per switch	0.03 K/W
二极管壳到散热器热阻 Rth(c-s)_Diode per switch	0.036 K/W

Dimension

参数	价值
长 x 宽 x 高	152 x 62 x 17 mm³
电气间隙-端子到基板	12.5 mm​
电气间隙-端子到端子	10 mm​
爬电距离-端子到基板	14.5 mm​
爬电距离-端子到端子	13 mm​
重量	350 g

Outline drawing

Outline

Schematics