EN
主页
产品
概述
目录
关于我们
可持续性
公司介绍
里程碑
求职
新闻
联系我们
Get in touch
概述
目录
可持续性
公司介绍
里程碑
SIS0100C120i20 赛晶半导体 IGBT 芯片 用于功率模块组装
采用 i20 技术的 1200V 和 100A 额定 IGBT 芯片,具有精细沟槽单元
IGBT 1.2kV i20 & i21
概述
技术规格
下载
盘询
技术规格
Silicon IGBT 1200 V and 100 A rated current
IGBT 1.2kV i20 & i21
SIS0250C120i20
SIS0200C120i20
SIS0150C120i20
SIS0100C120i20
SIS0200C120i21
IGBT
参数
价值
集电极-发射极电压
1200 V
集电极直流电流
100 A
Dimension
参数
价值
长度
8.8 mm
宽度
8.8 mm