SIS0150C120i20 赛晶半导体-IGBT 芯片-用于功率模块组装

采用 i20 技术的 1200V 和 150A 额定 IGBT 芯片，具有精细沟槽单元

SIS0150C120i20

Silicon IGBT 1200 V and 150 A rated current

I20 21

IGBT 1.2kV i20 & i21

参数	价值
集电极-发射极电压	1200 V
集电极直流电流	150 A

参数	价值
长度	10.5 mm
宽度	10.5 mm

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SIS0150C120i20

产品规格书

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