SIS0300C120i23 用于功率模块组装的 SwissSEM IGBT 芯片

技术规格

Silicon IGBT 1200 V and 300 A rated current

• i23超低损耗精细沟槽栅型IGBT芯片组
• 软开关技术实现最佳关断可控性，适用于广泛的应用范围
• 正温度系数
• 易并联

IGBT 1.2kV i23-technology

• SIS0300C120i23
• SIS0200C120i23
• SIS0150C120i23

IGBT

参数	价值
集电极-发射极电压	1200 V
集电极直流电流	300 A

Dimension

参数	价值
长度	12.1 mm
宽度	15.7 mm

Outline drawing

Dimensions