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SIS0150C120i20 赛晶半导体-IGBT 芯片-用于功率模块组装
采用 i20 技术的 1200V 和 150A 额定 IGBT 芯片,具有精细沟槽单元
IGBT 1.2kV
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SIS0300C120i23
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SIS0200C120i20
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SIS0100C120i20
SIS0200C120i21
SIS0150C120i20
产品规格书
2025-08-15 | 0.36MB | EN/CN
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AN 000011 L Product Naming Rule Public Article Number directive
2025-10-31 | 0.66MB | EN
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2025-11-01 | 0.94MB
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