SIS0200C120i20-赛晶半导体-IGBT 芯片-用于功率模块组装

技术规格

Silicon IGBT 1200 V and 200 A rated current

IGBT 1.2kV

• SIS0300C120i23
• SIS0250C120i20
• SIS0200C120i20
• SIS0150C120i20
• SIS0100C120i20
• SIS0200C120i21

IGBT

参数	价值
集电极-发射极电压	1200 V
集电极直流电流	200 A

Dimension

参数	价值
长度	11.9 mm
宽度	11.9 mm