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SIS0300C175i23-赛晶半导体-用于功率模块组装的IGBT 芯片
额定电压为 1700V、电流为 300A 的 IGBT 芯片,采用 i23 技术,具有精细沟槽单元
IGBT 1.7kV
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技术规格
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技术规格
Silicon IGBT 1700 V and 300 A rated current
IGBT 1.7kV
SIS0300C175i23
SIS0200C175i20
SIS0150C175i20
SIS0100C175i20
SIS0075C175i20
IGBT
参数
价值
集电极-发射极电压
1700 V
集电极直流电流
300 A
Dimension
参数
价值
长度
12.4 mm
宽度
16.4 mm