SiC MOSFET 1.2 kV

技术规格

SiC MOSFET 1200 V and RDSon of 13 mOhm

SiC MOSFET 1.2 kV

MOSFET

MOSFET

参数 价值
漏极 - 源极电压 1200 V
静态漏极-源极导通电阻 (ID = 100 A, VGS = 18V, Tvj = 25°C 13 mOhm
Dimension

参数 价值
长度 5.0 mm
宽度 5.7 mm
Outline drawing

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