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SCS0013C120m23 用于功率模块组装的 SwissSEM SiC MOSFET 芯片
采用 i23 技术的 1200V 13mOhm SiC MOSFET 芯片,具有微沟槽元胞
SiC MOSFET 1.2 kV
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技术规格
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技术规格
SiC MOSFET 1200 V and RDSon of 13 mOhm
SiC MOSFET 1.2 kV
SCS0012C120m24
SCS0013C120m23
MOSFET
MOSFET
参数
价值
漏极 - 源极电压
1200 V
静态漏极-源极导通电阻 (I
D
= 100 A, V
GS
= 18V, T
vj
= 25°C
13 mOhm
Dimension
参数
价值
长度
5.0 mm
宽度
5.7 mm
Outline drawing
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