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Sic-Mosfet-750V
SCS0009C075m22
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SCS0009C075m22 用于功率模块组装的 SwissSEM SiC MOSFET 芯片
采用 A3 技术的 750V 9mOhm SiC MOSFET 芯片,具有微沟槽元胞
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Sic-Mosfet-750V
SCS0009C075m22
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SCS0009C075m22
SiC MOSFET 750 V and RDSon of 9 mOhm
正温度系数
易并联
SiC MOSFET 750V
Select product module
SCS0009C075m22
MOSFET
MOSFET
参数
价值
漏极 - 源极电压
750 V
静态漏极-源极导通电阻 (I
D
= 80 A, V
GS
= 18V, T
vj
= 25°C
9 mOhm
Dimension
参数
价值
长度
5 mm
宽度
5 mm
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SCS0009C075m22v1
Datasheet
2026-06-04 | 0.34MB | EN
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SCS0009C075m22v1
产品规格书
2026-06-04 | 0.44MB | EN/CN
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2026-06-04 | 0MB
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