SCD0060C120s24

技术规格

SiC Schottky Barrier Diode 1200 V

• s24高浪涌二极管设计 

SiC Schottky-Barrier-Diode 1.2 kV

• SCD0060C120s24

MOSFET

MOSFET

参数	价值
漏极 - 源极电压	1200 V
正向直流电流 (IF = 60 A, Tvj = 175°C)	12 mOhm

Dimension

参数	价值
长度	4.66 mm
宽度	4.65 mm