SISD1000ST120i23-赛晶半导体ST封装功率模块

技术规格

ST-type phase leg IGBT module

• i23超低损耗精细沟槽栅型IGBT芯片组
• 高效Al₂O₃ 绝缘陶瓷基板
• 低热阻铜底板
• 行业标准封装

ST-Type 1.2kV i23

• SISD1000ST120i23_A01
• SISD0600ST120i23_A01
• SISD0300ST120i23_A01

Maximum ratings

参数	价值
集电极-发射极电压	1200 V
集电极直流电流	1000 A
最高运行结温	175 °C​

IGBT

参数	价值
集电极-发射极饱和电压 (Tvj = 125°C)	1.75 V
关断损耗​ (VCC = 600 V, IC = 1000 A, RG = 0.5 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	137 mJ
开通损耗​ (VCC = 600 V, IC = 1000 A, RG = 1 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	101 mJ

Diode

参数	价值
正向压降 (Tvj = 125°C)	1.7 V
反向恢复 ​(VR = 600 V, IF = 1000 A, dI/dt = 6192 A/µs, RG = 1 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	97 mJ

Package

参数	价值
IGBT结-壳热阻 Rth(j-c)_IGBT	0.039 K/W
二极管结-壳热阻 Rth(j-c)_Diode	0.065 K/W
IGBT壳到散热器热阻 Rth(c-s)_IGBT per switch	0.028 K/W
二极管壳到散热器热阻 Rth(c-s)_Diode per switch	0.033 K/W

Dimension

参数	价值
长 x 宽 x 高	106 x 62 x 30.9 mm³
电气间隙-端子到基板​	23 mm
电气间隙-端子到端子	11 mm
爬电距离-端子到基板	29 mm
爬电距离-端子到端子	23 mm
重量	310 g

Outline drawing

Outline

Schematics