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SIS0200C120i20-赛晶半导体-IGBT 芯片-用于功率模块组装

采用 i20 技术的 1200V 和 200A 额定 IGBT 芯片，具有精细沟槽单元

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SIS0200C120i20

Silicon IGBT 1200 V and 200 A rated current

I20 21

IGBT 1.2kV i20 & i21

参数 价值
集电极-发射极电压 1200 V
集电极直流电流 200 A
参数 价值
长度 11.9 mm
宽度 11.9 mm
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  • SEM DS 0023 SIS0200 C120i20 v3 0en
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  • AN 000011 L Product Naming Rule Public Article Number directive
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