SIS0200C120i21 用于功率模块组装的赛晶半导体 IGBT 芯片

采用 i20 技术的 1200V 和 200A 额定 IGBT 芯片，具有精细沟槽单元

SIS0200C120i21

Silicon IGBT 1200 V and 200 A rated current

i21 delivered on 300 mm wafer

I20 21

IGBT 1.2kV i20 & i21

参数	价值
集电极-发射极电压	1200 V
集电极直流电流	200 A

参数	价值
长度	12.8 mm
宽度	12.1 mm

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SEM DS 0022 SIS0200 C120i21 v2 0en

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