工业用 ED 型标准封装，采用 i21 超低损耗精细沟槽式 IGBT 芯片组，电压为 1200V，电流为两次 600A
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| 集电极-发射极电压 | 1200 V |
| 集电极直流电流 | 600 A |
| 最高运行结温 | 175 °C |
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| 集电极-发射极饱和电压 (Tvj = 125°C) | 1.68 V |
| 关断损耗 (VCC = 600 V, IC = 600 A, RG = 1.5 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 30 nH, inductive load, Tvj = 125°C) | 120 mJ |
| 开通损耗 (VCC = 600 V, IC = 600 A, RG = 0.47 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 30 nH, inductive load, Tvj = 125°C) | 76 mJ |
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| 正向压降 (Tvj = 125°C) | 1.95 V |
| 反向恢复 (VR = 600 V, IF = 600 A, dI/dt = 7700 A/µs (175°C), RG = 1.5 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C) | 40 mJ |
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| IGBT结-壳热阻 Rth(j-c)_IGBT | 0.051 K/W |
| 二极管结-壳热阻 Rth(j-c)_Diode | 0.069 K/W |
| IGBT壳到散热器热阻 Rth(c-s)_IGBT per switch | 0.032 K/W |
| 二极管壳到散热器热阻 Rth(c-s)_Diode per switch | 0.036 K/W |
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| 长 x 宽 x 高 | 152 x 62 x 17 mm³ |
| 电气间隙-端子到基板 | 12.5 mm |
| 电气间隙-端子到端子 | 10 mm |
| 爬电距离-端子到基板 | 15 mm |
| 爬电距离-端子到端子 | 13 mm |
| 重量 | 350 g |
Outline drawing
Schematics
