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参数	价值
集电极-发射极电压	1200 V
集电极直流电流	600 A
最高运行结温	175 °C​

IGBT

参数	价值
集电极-发射极饱和电压 (Tvj = 125°C)	1.75 V
关断损耗​ (VCC = 600 V, IC = 600 A, RG = 1 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	71 mJ
开通损耗​ (VCC = 600 V, IC = 600 A, RG = 1 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	90 mJ

Diode

参数	价值
正向压降 (Tvj = 125°C)	1.77 V
反向恢复 ​(VR = 600 V, IF = 600 A, dI/dt = 6192 A/µs, RG = 1 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 35 nH, inductive load, Tvj = 125°C)	39 mJ

Package

参数	价值
IGBT结-壳热阻 Rth(j-c)_IGBT	0.061 K/W
二极管结-壳热阻 Rth(j-c)_Diode	0.102 K/W
IGBT壳到散热器热阻 Rth(c-s)_IGBT per switch	0.032 K/W
二极管壳到散热器热阻 Rth(c-s)_Diode per switch	0.039 K/W

Dimension

参数	价值
长 x 宽 x 高	106 x 62 x 30.9 mm³
电气间隙-端子到基板​	23 mm
电气间隙-端子到端子	11 mm
爬电距离-端子到基板	29 mm
爬电距离-端子到端子	23 mm
重量	310 g

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Schematics