工业 ED 型标准封装，采用 i20 超低损耗精细图案沟槽 IGBT 芯片组，电压为 1200V，电流为 750A
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| 集电极-发射极电压 | 1200 V |
| 集电极直流电流 | 750 A |
| 最高运行结温 | 175 °C |
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| 集电极-发射极饱和电压 (Tvj = 125°C) | 1.95 V |
| 关断损耗 (VCC = 600 V, IC = 750 A, RG = 1.5 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 30 nH, inductive load, Tvj = 125°C) | 110 mJ |
| 开通损耗 (VCC = 600 V, IC = 750 A, RG = 0.47 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 30 nH, inductive load, Tvj = 125°C) | 82 mJ |
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| 正向压降 (Tvj = 125°C) | 2.15 V |
| 反向恢复 (VR = 600 V, IF = 750 A, dI/dt = 5300 A/µs, RG = 0.47 Ω, VGE = ± 15 V, Ls = 30 nH, inductive load, Tvj = 125°C) | 45 mJ |
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| IGBT结-壳热阻 Rth(j-c)_IGBT | 0.04 K/W |
| 二极管结-壳热阻 Rth(j-c)_Diode | 0.067 K/W |
| IGBT壳到散热器热阻 Rth(c-s)_IGBT per switch | 0.03 K/W |
| 二极管壳到散热器热阻 Rth(c-s)_Diode per switch | 0.036 K/W |
| 参数 | 价值 |
|---|---|
| 长 x 宽 x 高 | 152 x 62 x 17 mm³ |
| 电气间隙-端子到基板 | 12.5 mm |
| 电气间隙-端子到端子 | 10 mm |
| 爬电距离-端子到基板 | 15 mm |
| 爬电距离-端子到端子 | 13 mm |
| 重量 | 350 g |
Outline drawing
Schematics
