CPEEC·CPSSC|长安拍了拍“赛晶亚太半导体”

青砖黛瓦,市井长巷。在文化底蕴深厚的历史古都西安,2024中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十七届学术年会及展览会(CPEEC & CPSSC 2024)于2024年11月8日-11日圆满召开。本次大会由中国电源学会主办。

本次大会设置了16场专题讲座、90个主题分会场、540余场技术和工业报告,特邀了14位电源、电力电子及相关领域国内外院士专家在大会报告、全球电力电子高峰论坛环节作报告。此次活动呈现出更为丰富多样的形式,其涉足领域进一步拓展,全面围绕消费电子、智能照明、网络通信、安防监控、汽车电子等多个极具活力的应用领域盛大展开。活动现场,犹如一座知识与智慧交织的殿堂,专家学者、业界领袖以及众多行业从业者齐聚一堂,针对企业发展过程中技术方面的难点、痛点以及瓶颈问题展开了深入且热烈的讨论。在这里,思维的火花激烈碰撞,精彩的观点层出不穷,每一个瞬间都精彩纷呈,生动地体现了行业蓬勃发展的盛景。

赓续前行,奋楫争先,在展会同期举办的新型功率半导体器件及其应用主题演讲环节,赛晶亚太半导体技术支持兼市场总监马先奎先生带来《高可靠性SiC芯片及其在车规级紧凑封装功率模块中的应用》的主题报告。作为赛晶EV “全家桶”的新秀,SiC芯片静态性能匹配先进的汽车MOSFET产品性能需求,动态开关性能适用于EVD和HEEV模块的应用。

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25℃和125℃下的开关损耗,测试电流为额定电流两倍的测试条件下得出其开关损耗与竞品为同一水平:

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室温下的短路特性及其对比:

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HEEV封装SiC模块采用压注封装且一改经典串联水冷模式采用并联无底板设计大大提高了其散热效率,可助力客户实现高达250kW的最紧凑电驱:


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兼容主流封装的六合一EVD SiC模块,通过优化内部布局,采用创新的针脚封装和工艺设计,赛晶模块MOSFET导通电阻降低10%~30%、封装阻抗降低约1/3、在相同的开关速度下,损耗和主流产品一致甚至略低:

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赛晶以客户需求为导向,先后推出了自研的SiC芯片、能够将SiC芯片性能得到更充分的发挥的HEEV模块和有更灵活应用的EVD模块!

马先奎先生演讲结束后,现场观众反响热烈,纷纷表达了对其演讲内容深度与前瞻性的高度认可,并为他们打开了行业新视野去探索更多的创新可能,整个会场沉浸在积极向上、充满活力与希望的氛围之中。

赛晶半导体技术支持总监马先奎先生发表演讲::
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本次展会更进一步的促进了产学研深度融合,为高校和企业、企业和企业搭建了一个交流的平台,促进了行业资源流通和共享。赛晶亚太半导体作为其白金合作伙伴,无疑是其中的璀璨亮点,我们携i20系列IGBT芯片、ED封装IGBT模块、ST封装IGBT模块、EV封装IGBT模块及HEEV封装SiC模块明星产品亮相本次大会,为行业发展注入“芯”动力!

在长安的秋风中,此次展会宛如一首悠扬的诗篇,画上了圆满的句号。我们带着梦想与憧憬而来,携着收获与感动离去。每一个展品都似一个音符,在展厅中奏响了行业发展的华丽乐章;每一次交流都像一缕秋风,拂过心间,留下智慧碰撞的痕迹。展会虽落幕,但我们在这个秋天种下的希望之种,必将在岁月的长河中生根发芽,绽放出更加绚烂的花朵,为行业的春天孕育无限生机,待下次相聚,定是更美的风景!

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