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SCD0060C120s24

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SCD0060C120s24

SiC Schottky Barrier Diode 1200 V

  • s24高浪涌二极管设计 
TO247 4 LB

SiC Schottky-Barrier-Diode 1.2 kV

MOSFET

参数 价值
漏极 - 源极电压 1200 V
正向直流电流 (IF = 60 A, Tvj = 175°C) 12 mOhm

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  • SEM DS 0200 SCS027 HG065 M22 E v1 0
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