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SCS0012C120m24 用于功率模块组装的 SwissSEM SiC MOSFET 芯片

采用 A3 技术的 1200V 12mOhm SiC MOSFET 芯片，具有微沟槽元胞

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SCS0012C120m24

SiC MOSFET 1200 V and RDSon of 12 mOhm

  • 正温度系数
  • 易并联
Si C MOSFET wafer 150

SiC MOSFET 1.2 kV

MOSFET

参数 价值
漏极 - 源极电压 1200 V
静态漏极-源极导通电阻 (ID = 100 A, VGS = 18V, Tvj = 25°C) 12 mOhm
参数 价值
长度 5.0 mm
宽度 5.7 mm

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