SIS0200C120i23 用于功率模块组装的 SwissSEM IGBT 芯片

采用 i23 技术的 1200V 200A IGBT 芯片，具有微沟槽元胞

SIS0200C120i23

Silicon IGBT 1200 V and 200 A rated current

i23超低损耗精细沟槽栅型IGBT芯片组
软开关技术实现最佳关断可控性，适用于广泛的应用范围
正温度系数
易并联

I20 21

IGBT 1.2kV i23-technology

参数	价值
集电极-发射极电压	1200 V
集电极直流电流	200 A

参数	价值
长度	11.5 mm
宽度	11.5 mm

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SEM DS 0110 SIS0200 C120i25 v2 0 EN

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SEM DS 0110 SIS0200 C120i25

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