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SIS0250C120i20 赛晶半导体 IGBT 芯片 用于功率模块组装

采用 i20 技术的 1200V 和 250A 额定 IGBT 芯片，具有精细沟槽单元

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SIS0250C120i20

Silicon IGBT 1200 V and 250 A rated current

I20 21

IGBT 1.2kV i20 & i21

参数 价值
集电极-发射极电压 1200 V
集电极直流电流 250 A
参数 价值
长度 12.1 mm
宽度 15.7 mm
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  • SEM DS 0072 SIS0250 C120i20 W12 v2 0en
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