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SIS0250C120i20
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SIS0250C120i20 赛晶半导体 IGBT 芯片 用于功率模块组装
采用 i20 技术的 1200V 和 250A 额定 IGBT 芯片,具有精细沟槽单元
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SIS0250C120i20
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SIS0250C120i20
Silicon IGBT 1200 V and 250 A rated current
IGBT 1.7kV i23
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SIS0250C120i20
IGBT
参数
价值
集电极-发射极电压
1200 V
集电极直流电流
250 A
Dimension
参数
价值
长度
12.1 mm
宽度
15.7 mm
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SEM DS 0177 SIS0250 C230i26 v1 0 EN
2026-07-10 | 0.35MB | EN
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AN 000011 L Product Naming Rule Public Article Number directive
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2026-07-10 | 0.43MB | EN/CN
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2026-07-10 | 1.31MB
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