SIS0300C175i23-赛晶半导体-用于功率模块组装的IGBT 芯片

额定电压为 1700V、电流为 300A 的 IGBT 芯片，采用 i23 技术，具有精细沟槽单元

SIS0300C175i23

Silicon IGBT 1700 V and 300 A rated current

I20 21

IGBT 1.7kV i23

参数	价值
集电极-发射极电压	1700 V
集电极直流电流	300 A

参数	价值
长度	12.4 mm
宽度	16.4 mm

下载

SEM DS 0100 SIS0150 C170i23 v1 0 EN

2026-06-19 | 0.41MB | EN

复制到剪贴板的URL
AN 000011 L Product Naming Rule Public Article Number directive

2026-06-19 | 0.66MB

复制到剪贴板的URL
SEM DS 0100 SIS0150 C170i23v1

2026-06-19 | 0.48MB | EN/CN

复制到剪贴板的URL
下载所有

ZIP文件

2026-06-19 | 1.41MB

复制到剪贴板的URL